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G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極 。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S ,輸出D。
增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的 。
擴(kuò)展資料
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
參考資料MOS管_百度百科
場效應(yīng)管
mos管三個(gè)管腳的
柵極
相當(dāng)于
晶體管
的
基極
mos管三個(gè)管腳,源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的
發(fā)射極
和
集電極
。將
萬用表
置于R×1k檔mos管三個(gè)管腳 ,用兩
表筆
分別測量每兩個(gè)管腳間的正 、
反向
電阻
。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換) ,余下的一個(gè)管腳即為柵極G 。
根據(jù)場效應(yīng)管的
PN結(jié)
正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出
結(jié)型場效應(yīng)管
的三個(gè)電極:若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向 ,即都是反向電阻,可以判定是N
溝道
場效應(yīng)管,且
黑表
筆接的是柵極mos管三個(gè)管腳;若兩次測出的電阻值均很小 ,說明是正向PN結(jié),
即是
正向電阻
,判定為P溝道場效應(yīng)管 ,黑表筆接的也是柵極。
1.正面管腳向下從左到右依次是 G D S (也有特殊的)。
2.帶P的大多是P溝道的 。
3.萬用表二極管檔測量,如果都通了一定壞(半死狀態(tài)測量很麻煩。)
舉例說明 ,自己畫了一個(gè)通俗、簡單的場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)LED的電路圖,左圖為N溝道場效應(yīng)管(型號(hào)IRF630),右圖為P溝道場效應(yīng)管(型號(hào)IRF9640) ,電源電壓12V,具體到你這個(gè)電路中,圖中電阻等元件可以根據(jù)實(shí)際電路更換相關(guān)阻值 ,從圖中你可以初步了解場效應(yīng)管做開關(guān)電路的接法。下面簡要說明 。
場效應(yīng)管,英文縮寫MOSFET,一般有3個(gè)管腳。依內(nèi)部PN結(jié)方向的不同 ,MOSFET分為N溝道型(上圖)和P溝道型(下圖),如下面圖所示,一般使用N溝道型可帶來便捷性。
N溝道MOSFET管用法】:(柵極G高電平D與S 間導(dǎo)通 ,柵極G低電平D與S間 截止,P溝道與之相反)
柵極/基極(G)接控制信號(hào),
源極(S)接負(fù)載電源負(fù)極(模擬地),漏極(D)接負(fù)載輸出負(fù)極 ,負(fù)載輸入正極直接接負(fù)載電源正極 。
當(dāng)柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開啟電壓(通常為1.2V),源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通,導(dǎo)通電流很小 ,可以認(rèn)為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負(fù)載負(fù)極被連通負(fù)載電源負(fù)極,負(fù)載工作。當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開啟電壓時(shí),源極(S)到漏極(D)電阻極大 ,可以認(rèn)為源極(S)到漏極(D)斷路,則負(fù)載負(fù)極被負(fù)載電源正極拉高,負(fù)載不工作 。(這里只用最易理解的語言說說用法 ,事實(shí)上MOSFET的開啟和關(guān)閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差)
這樣,我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無,即可控制負(fù)載的工作與不工作 ,形成一個(gè)開關(guān)效應(yīng)。MOSFET管的開關(guān)時(shí)間非???,一般在納秒極,你就認(rèn)為是瞬間開啟/關(guān)閉就可以了,在MOSFET管內(nèi)部是沒有延遲的。
由于MOSFET管的快速開關(guān)特性 ,使用高頻PWM方波信號(hào)對其柵極/基極(G)進(jìn)行控制,可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓,這個(gè)平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調(diào)等模型設(shè)備的降壓和調(diào)速原理 。這種高頻開關(guān)降壓方法幾乎沒有能量損失 ,效率一般在95%以上。
【P溝道MOSFET管用法】:】:(柵極G高電平D與S 間截止,柵極G低電平D與S間 導(dǎo)通)
柵極/基極(G)接控制信號(hào),源極(S)接負(fù)載電源正極 ,漏極(D)接負(fù)載輸入正極,負(fù)載輸出負(fù)極直接接負(fù)載電源負(fù)極(模擬地)。
當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負(fù)載電源電壓)1.2V以上時(shí),源極(S)到漏極(D)導(dǎo)通 ,導(dǎo)通電流很小,可以認(rèn)為源極(S)和漏極(D)直接短接 。這樣負(fù)載正極被連通負(fù)載電源正極,負(fù)載工作。當(dāng)柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負(fù)載電源電壓)不足1.2V ,或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時(shí),源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認(rèn)為源極(S)到漏極(D)斷路,則負(fù)載不工作。
MOSFET場效應(yīng)管做為快速開關(guān)元件的用法就簡單說到這里 ,復(fù)雜理論咱不說它,知道怎么用就行了 。如果僅僅是做為電子開關(guān)使用,也可以簡單用三極管代替MOSFET管 ,只不過三極管的效率、開關(guān)速度 、開關(guān)可靠性遠(yuǎn)不如MOSFET管。
G:gate柵極mos管三個(gè)管腳;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管三個(gè)管腳,輸出Smos管三個(gè)管腳,P溝道的電源一般接在Smos管三個(gè)管腳 ,輸出D 。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
這是MOS管熱釋電紅外傳感器,那個(gè)矩形框是感應(yīng)窗口,G腳為接地端 ,D腳為內(nèi)部MOS管漏極,S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中,G接地 ,D接電源正,紅外信號(hào)從窗口輸入,電信號(hào)從S輸出 。
關(guān)于MOS管
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在 ,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極 ,紅表筆接D極 。因?yàn)闇y試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。
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